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海太半導(dǎo)體兩舉措提升三代DDR4產(chǎn)品良率

發(fā)布時間:2019-12-17

  為有效提升產(chǎn)品良率,提升企業(yè)競爭力,海太半導(dǎo)體從兩方面著手努力提升三代DDR4生產(chǎn)質(zhì)量。一是改善測試頭接觸類型,將PIN針型變更為片式插槽型,有效避免測試基板測試頭PIN針的重復(fù)損壞,保證產(chǎn)品收率。二是改善單個單品測試點位托板結(jié)構(gòu),通過減薄測試點位托板,使產(chǎn)品錫球充分接觸測試,從而提升初期測試產(chǎn)品識別率,最終提升產(chǎn)品收率。通過以上舉措,海太半導(dǎo)體DDR4產(chǎn)品良率已從96%提升至97.69%。

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